Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.
O IRFZ44N possui encapsulamento convencional SOT78 (TO220AB).
Especificações:
Encapsulamento: TO-220 3 Pinos
Tensão VDS Drain-source: 55V
Corrente de drenagem: (DC) 49 A
Dissipação de potência total: 110 W
Temperatura da junção: 175 Graus Celsius
Resistência no estado da fonte de drenagem VGS = 10: 22m Ohms
Temperatura de trabalho: -55 a +125 Graus Celsius
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